지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 이준신
- 발행연도
- 2019
- 저작권
- 성균관대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수12
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
작고 다양한 디자인의 제품에 대한 관심이 커지면서 평판 디스플레이를 넘어 플렉시블 디스플레이 시장 규모가 증가하고 있다. 따라서 앞으로의 디스플레이 공정은 플렉시블 디스플레이에 초점에 맞춰 개발 될 것이다. 하지만 현재의 플렉시블 디스플레이는 합착 공정은 높지 않은 수율을 보이고 있으며, 공정에 대한 기술에 미비점이 많이 존재한다. 디스플레이 합착의 수율 향상시키고, 합착 후 투과도 및 접착력을 향상 시킬 수 있도록 디스플레이 합착 후 기포제거 공정을 진행하면 디스플레이 필름 합착면의 접착력과 투과도를 향상시킬 수 있다.
또한 현대 과학 기술 즉, 차세대 비휘발성 메모리는 사물인터넷, 임베디드 시스템 등에 적용되기 위해 빠른 동작, 저장능력 및 저전력 소비에 초점을 맞추고 있다. 이것을 위해 사용되는 기술 중 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 구조에 주목할 필요가 있다. 기술이 발달함에 따라 ONO구조의 물리적 사이즈가 작아지고 있으며, 이로 인해 누설전류 문제가 발생하고 있다. 이에 대한 해결책으로 여러 방법이 있는 가운데, 게이트 산화막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 유전 상수가 큰 high-k 물질을 적용시킴으로 누설 전류를 줄일 수 있을 것이다. Al2O3를 터널 및 차단 층에 사용하여 구동 전압의 및 누설전류 감소를 지향 하였으며, 또한 저장층을 AlxOx로 활용하여 공정 단일화를 이루었다. High-k 물질인 알루미늄 단일 산화막을 활용하여 우수한 전기적 특성의 비휘발성 메모리를 구현할 수 있다.
또한 현대 과학 기술 즉, 차세대 비휘발성 메모리는 사물인터넷, 임베디드 시스템 등에 적용되기 위해 빠른 동작, 저장능력 및 저전력 소비에 초점을 맞추고 있다. 이것을 위해 사용되는 기술 중 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 구조에 주목할 필요가 있다. 기술이 발달함에 따라 ONO구조의 물리적 사이즈가 작아지고 있으며, 이로 인해 누설전류 문제가 발생하고 있다. 이에 대한 해결책으로 여러 방법이 있는 가운데, 게이트 산화막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 유전 상수가 큰 high-k 물질을 적용시킴으로 누설 전류를 줄일 수 있을 것이다. Al2O3를 터널 및 차단 층에 사용하여 구동 전압의 및 누설전류 감소를 지향 하였으며, 또한 저장층을 AlxOx로 활용하여 공정 단일화를 이루었다. High-k 물질인 알루미늄 단일 산화막을 활용하여 우수한 전기적 특성의 비휘발성 메모리를 구현할 수 있다.
목차
제1장 서론 11.1 Flexible Display 현황 및 동향 11.2 비휘발성 메모리 소자 41.3 high-k 물질의 연구 배경 및 기술 동향 7제2장 관련 이론 92.1 Flexible Display 공정 요소 92.1.1 Sheet-to-sheet (S2S) 92.1.2 Roll-to-roll (R2R) 112.1.3 Roll-to-roll OLED에 대한 기판 물질의 비교 132.1.4. 기포제거 공정 142.2 비휘발성 메모리의 ONO(SiO2/SiNx/SiO2)구조 및 동작 원리 152.3 쓰기(programming) 및 지우기(erasing) 동작원리 172.3.1 쓰기(programming) 동작원리 172.3.2 지우기(erasing) 동작원리 18제3장 실험방법 193.1 필름 합착 공정 및 기포제거 공정 193.2 ALD(Atomic Layer Deposition)를 이용한 Al2O3 박막 증착 223.3 ICP-CVD를 이용한 전하저장층(SiNx) 박막 증착 243.4 Al2O3/AlxOx/Al2O3 구조의 MIS 제작 263.5 PECVD를 이용한 μc-SiGe:H 박막 증착 27제4장 결과 및 고찰 294.1 기포 제거 공정 후 합착면의 특성 분석 294.2 ALD로 증착한 Al2O3 단일 박막 측정 354.3 MIS(Al/Al2O3/SiNx/Al2O3/Si) 구조의 소자 측정 40제5장 결론 51참고문헌 52
최근 본 자료
댓글(0)
0