향상된 전하 주입 특성으로 인한 양극성 유기 반도체 기반 저전압 구동 비휘발성 트랜지스터 메모리 제작 :

문지훈

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자료유형: 학위논문

저자정보: 문지훈 (부경대학교, 부경대학교 대학원)

지도교수: 백강준

발행연도: 2019

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2019

향상된 전하 주입 특성으로 인한 양극성 유기 반도체 기반 저전압 구동 비휘발성 트랜지스터 메모리 제작

문지훈 인쇄공학과 2019.01 학위논문

2017

N형 고분자 반도체의 전하주입 특성 향상을 통한 저전압 유기전계효과트랜지스터 특성 연구

문지훈 , 백강준 전기전자재료학회논문지 2017.10 학술저널

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Solution-processed pi-conjugated organic semiconductors potentially enable to flexible and printed electronics and optoelectronic applications via large-area, high-throughput, and low-cost graphic arts printing methods. For enabling soft electronic devices and systems, it should be developed various electronic components such as integrated circuits and non-volatile memory as well as operating under low bias conditions. High-k fluorinated polymer dielectrics such as P(VDF-TrFE) and its derivatives are typically used as low-voltage operating organic field-effect transistors (OFETs) due to their high electric constant and high breakdown strength. However, those PVDF-based polymers typically adversely affected the performance of N-type OFETs by depleting electrons at the semiconductor-dielectric interface and large charge injection barrier due to the high polarity of the C-F bonds. Here we studied the problem which leads to electron-depletion phenomenon at the interface in order to improve performance of N-channel OFETs. Moreover, storage capacity of non-volatile memory based on OFETs was also remarkably increased by incorporation of charge injection layer, which contributed to change its operation mode from unipolar to bipolar.

Ⅰ. 서 론 1
Ⅱ. 이 론 3
1. 비휘발성 유기 메모리 3
가. 메모리의 발전 방향 3
나. 일렉트릿을 사용한 유기 메모리 6
2. 유기 반도체 7
가. 유기 반도체의 종류 7
나. CNT 10
3. 전계효과 트랜지스터 11
가. 전계 효과 트랜지스터의 구조 12
나. 전계 효과 트랜지스터의 동작 원리 14
다. 전계 효과 트랜지스터의 전기적 특성 16
4. 일렉트릿을 사용한 트랜지스터 기반 유기 메모리 19
가. 일렉트릿 기반의 유기 메모리 구조 19
나. 일렉트릿 기반의 유기 메모리 동작원리 21
Ⅲ. 실험 및 측정 24
1. 실험 준비 24
가. 소스-드레인 패터닝 24
나. CIL 처리 26
다. 유기 반도체 층 코팅 28
라. 절연체 층 코팅 31
마. 게이트 증착 34
2. 실험 과정 36
가. OFET 제작 36
나. ONVM 제작 37
Ⅳ. 결과 및 고찰 38
1. 전기적 특성 38
가. 절연체 종류와 구조에 따른 전기적 특성 38
나. NaBH_4를 사용한 CIL 처리 유무에 따른 전기적 특성 39
다. N2200의 PVN을 통한 메모리 특성 44
라. Wrapping CNT에 대한 전기적 특성 49
2. 메모리 특성 53
가. Sc-SWNT를 사용한 ONVM 성능 분석 ? memory window 53
나. Sc-SWNT를 사용한 ONVM 성능 분석 ? reliability test 57
다. Sc-SWNT를 사용한 ONVM 성능 분석 ? retention time 61
Ⅴ. 결론 66
참고문헌 67

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