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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
문지훈 (부경대학교) 백강준 (부경대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제10호
발행연도
2017.10
수록면
665 - 671 (7page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.10.665

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본 논문에서는 저전력 구동 가능한 고성능 유연/인쇄전자 소자 및 회로 개발을 위해 N형 고분자 반도체 기반의 유기전계효과트랜지스터(organic field-effect transistors; OFETs)를 제작하고, 이에 적합한 절연체 구조와 전하주입 특성을 연구하였다. OFET 소자의 구동전압을 감소시키기 위해서는 높은 정전용량과 얇은 박막의 절연체 개발이 우선적으로 요구된다. 탑-게이트 구조의 OFET 소자에 적합한 고분자 절연층으로 높은 유전율을 가지는 고분자 절연체(P(VDF-TrFE), P(VDF-TrFE-CTFE), P(VDF-TrFE- CFE))를 이용하여 저전압 구동 가능한 N형 OFET 소자를 제작하였다. 이러한 PVDF 계열의 고분자는 -C-F 결합이 가지는 높은 극성으로 인해 반도체와 절연체 계면으로부터 전자를 밀어냄으로써, 전자의 주입과 축적을 저해하여 일반적으로 N형 반도체 소자의 성능에 악영향을 미친다. 따라서 PVDF 절연체와 반도체 사이의 계면 특성을 향상시키기 위해 저유전율 절연체인 polystyrene 층을 이중층(bi-layer) 구조로 삽입하고, 동시에 전자 주입층(electron injection layer)을 도입함으로써 반도체 채널 내 전자 공핍(depletion) 현상을 억제하여 저전압에서 구동 가능한 고성능 N형 OFET 소자를 제작하고, 그에 따른 전기적 특성을 분석하였다.

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