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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

조성현 (경북대학교, 경북대학교 대학원)

지도교수
신장규.
발행연도
2016
저작권
경북대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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In this work, we developed a two-transistor APS with WDR using negative feedback structure. Although the APS with gate/body tied MOS field-effect transistor (MOSFET) type photodetector (GBT-PD) has high sensitivity, it can be hardly applied to imaging applications, owing to the very narrow dynamic range.23-27) Therefore, we propose an APS using an output voltage feedback structure that allows a significant extension of the dynamic range while maintaining high sensitivity at low illumination. The negative feedback structure of the proposed APS is provided by a very simple design and WDR function. The optical response of the proposed APS fabricated using a 1-poly 6-metal 0.18 μm standard CMOS process was analyzed.

목차

Chapter 1 Introduction
1.1. Research Trends of CMOS Image Sensor
1.2. Research Objectives
Chapter 2 Background
2.1. Photodiode
2.1.1. Operation of photodiode
2.1.2. Photodiode Model
2.2. CMOS Image Sensor
2.2.1. Passive Pixel Sensors (PPS)
2.2.2. Active Pixel Sensors (APS)
Chapter 3 Conventional Method Extending the Dynamic Range of APS
3.1. Logarithmic Pixel
3.2. Well Capacity Adjusting Method
3.3. Multiple Sampling Method
Chapter 4 Proposed Wide Dynamic Rage CMOS Active Pixel sensor
4.1. APS with Feedback Structure
4.1.1. Photodiode APS
4.1.2. GBT APS
Chapter 5 Experimental Results and Discussion
5.1. APS with Feedback Structure
5.1.1. Photodiode APS
5.1.2. GBT APS
5.2. Discussion
Chapter 6 Conclusion
References
국문초록 (Abstract in Korean)

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