목차

목차 ................................................................................................................... ⅰ
표 목차 ............................................................................................................. ⅱ
그림 목차 ......................................................................................................... ⅱ
논문 요약 ......................................................................................................... iv
제1장 서론 .......................................................................................................... 1
제2장 배경 이론 및 관련 연구. ......................................................................... 4
2-1 DTMOS 슈미트 트리거 ............................................................................... 4
2-2 One-sided Hysteresis DTMOS 슈미트 트리거 ........................................ 9
2-3 잡음 내성 평가를 위한 방법 (DPI method) ............................................... 12
제3장 슈미트 트리거 게이트 특성 관찰 .......................................................... 14
3-1 Deep N-well 을 이용한 DTMOS 슈미트 트리거 구현 ............................ 14
3-2 DTMOS슈미트 트리거의 Hysteresis 특성 ................................................ 18
3-3 로직 일반 특성 비교 (DTMOS S. T. logic vs CMOS logic) ...................... 26
3-4 측정 결과와 시뮬레이션 결과의 차이점 원인 분석 ..................................... 28
제4장 슈미트 트리거 게이트 잡음 내성 향상 특성 관찰 (DPI) ................... 35
4-1 시뮬레이션을 통한 잡음 내성 평가 ............................................................. 35
4-2 실제 측정을 통한 잡음 내성 평가 ............................................................... 37
4-3 DTMOS 슈미트 트리거 잡음 내성 평가 결과 비교 ..................................... 38
제5장 결론 .......................................................................................................... 42
참고문헌 .............................................................................................................. 43
Abstract .............................................................................................................. 45