개인구독
소속 기관이 없으신 경우, 개인 정기구독을 하시면 저렴하게
논문을 무제한 열람 이용할 수 있어요.
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 조을룡
- 발행연도
- 2014
- 저작권
- 한국기술교육대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수1
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
종래의 과산화수소계 식각액을 이용한 구리-배선을 주로 하는 Ultra Definition(UD)급 디스플레이 패널의 패턴 형성에 있어서, 짧은 누적처리 매수(shelf life time)와 고가의 폐액 처리비용으로 인해 많은 제약이 있었 으며, 느린 식각속도에 대한 개선을 위하여 많은 연구가 진행되었다. 디스 플레이 패널을 형성하는 주 금속의 적용에도 여러 가지 시도가 있었고, 기존에 적용?운용하였던 낮은 전도도와 높은 저항성을 가진 알루미늄을 대체하기 위하여 현재는 주 금속으로 구리 금속을 널리 사용 중이다.
구리 배선을 주로 사용하는 디스플레이 패널의 식각액에 대해 산화를 용이하게 하는 과산화수소계 식각액에 대한 연구가 현재까지 주를 이루었 지만, 본 연구에서는 높은 전도도와 낮은 저항성을 가질 수 있는 두꺼운 구리 배선의 구조로 인해 인산을 기초로 하는 습식 식각액 연구를 진행 하였다.
습식 식각액을 통한 식각의 과정은 크게 주 금속에 대한 산화, 식각, 탈착의 순서로 진행되며 본 연구에서는 식각제(etching agent)로 인산을 적용하여 low skew구현에 필수적인 etch stop현상이 발생하는 각 성분의 적절한 함량비를 확인 하였다.
Etch stop이 발생하는 각 성분의 함량비는 인산 60～64%, 질산 4～ 5%, 첨가제 1～3% 범위 내에서 발생하여 목표하고자 하는 구리 배선의 low skew가 가능 하였다. 또한 인산의 높은 점도로 인하여 구리 배선의 식각면이 라운드성으로 경사면을 형성하는 현상에 대해 buffer solution으로 초산을 적용하여 주 금속과의 접액성을 63.07°에서 42.49°로 접촉각을 향상시켜 패턴 형성에 유리하도록 하였다. 본 연구를 통해 확인한 인산계 식각액의 함량변화는 식각 진행 24시간 후에도 3% 이내로 패턴 형성에 유의차가 없음을 확인 하였다.
구리 배선을 주로 사용하는 디스플레이 패널의 식각액에 대해 산화를 용이하게 하는 과산화수소계 식각액에 대한 연구가 현재까지 주를 이루었 지만, 본 연구에서는 높은 전도도와 낮은 저항성을 가질 수 있는 두꺼운 구리 배선의 구조로 인해 인산을 기초로 하는 습식 식각액 연구를 진행 하였다.
습식 식각액을 통한 식각의 과정은 크게 주 금속에 대한 산화, 식각, 탈착의 순서로 진행되며 본 연구에서는 식각제(etching agent)로 인산을 적용하여 low skew구현에 필수적인 etch stop현상이 발생하는 각 성분의 적절한 함량비를 확인 하였다.
Etch stop이 발생하는 각 성분의 함량비는 인산 60～64%, 질산 4～ 5%, 첨가제 1～3% 범위 내에서 발생하여 목표하고자 하는 구리 배선의 low skew가 가능 하였다. 또한 인산의 높은 점도로 인하여 구리 배선의 식각면이 라운드성으로 경사면을 형성하는 현상에 대해 buffer solution으로 초산을 적용하여 주 금속과의 접액성을 63.07°에서 42.49°로 접촉각을 향상시켜 패턴 형성에 유리하도록 하였다. 본 연구를 통해 확인한 인산계 식각액의 함량변화는 식각 진행 24시간 후에도 3% 이내로 패턴 형성에 유의차가 없음을 확인 하였다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
최근 본 자료
댓글(0)
0