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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정병현 (경북대학교) 박지상 (경북대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제70권 제8호
발행연도
2020.8
수록면
630 - 635 (6page)

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적층결함 (stacking fault) 은 물질에서 생성되는 확장된 결함 (extended defect) 의 일종으로, 많은 물질에서 전하의 이동을 저해하고 전하 재결합을 촉진하여 전자 소자의 성능을 저해하는 것으로 알려져 있다. 반도체 내 적층결함의 안정성은 일반적으로 제일원리 계산을 수행해서 연구된다. 또한 비등방 다음이웃 이징 모형 (anisotropic next-nearest neighbor Ising model, ANNNI)을 이용하여 기술될 수도 있는데, 다형체의 총에너지를 제일원리 계산을 통해 얻어 구성하게 된다. 본 연구에서는 다이아몬드 Si와 섬아연석형구조 CdTe, ZnS 및 GaAs에 대한 ANNNI 모형을 만들었으며, 두 층과 세 층 사이의 상호작용을 고려함으로써 두 층만을 고려한 모형에 비해 오차를 줄일 수 있었다. 이렇게 만들어진 ANNNI 모형을 이용하여 예측한 적층결함 에너지는 제일원리 계산을 통해 직접 계산한 적층결함 에너지와 유사하였다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 계산 방법
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
REFERENCES

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