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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.11
- 수록면
- 344 - 347 (4page)
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The digital low dropout regulator (D-LDO) has recently attracted significant attention for its suitability in low voltage applications and scal-ability with advanced semiconductor processes. However, the trade-off between current efficiency and transient response speed has limited its applications. This paper presents a novel Coarse–Fine-Tuning approach to improve the performance of the D-LDO. Verified in a 45-nm CMOS process, the proposed design achieves a voltage overshoot of 26.31 mV during a load change from 0 to 2 mA with a 20-ns transition time. The quiescent current is measured at 193.8 μA, and the design achieves a figure of merit of 1.22-ps.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 구현 및 측정결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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