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저자정보
화준형 (삼성전자공과대학교) 고경완 (삼성전자) 박정희 (삼성전자공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2024.11
수록면
163 - 166 (4page)

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PECVD (Plasma Enhanced CVD) SiN thin films are widely used in semiconductor processes as important thin films such as masks, spacers, and molds. However, due to the high mechanical strength of SiN films, it is easy to form particles, and research on reducing them is being actively conducted. It was verified by the AlF thickness, SiF4 concentration and shower head cracks in the PECVD process that the particles in the SiN thin film occurred during the RPC (remote plasma clean) step after deposition, which was caused by the increase in the flow rate of the cleaning gas at the edge of the shower head part. This increase in flow rate was interpreted as an increase in energy, which caused cracks inside the shower head hole, which reduced the SiF4 cleaning effect and increased the SiN particles in the thin film. In order to improve this, we designed to reduce the energy by reducing the mean free path of NF3 gas used in the PRC process, and predicted that the shower head hole crack can be reduced by increasing the amount of inert gas to match the flow rate at the edge to the flow rate at the center.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 실험
IV. 결론
참고문헌

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