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육지수 (경상국립대학교 그린에너지융합연구소) 이삼행 (한국세라믹기술원) 이명규 (경상국립대학교 나노신소재융합공학과 그린에너지융합연구소) 박주석 (한국세라믹기술원) 김영곤 (조선이공대학교) 이성갑 (경상국립대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제37권 제2호
발행연도
2024.3
수록면
164 - 168 (5page)

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(La0.7Sr0.3)(Mn1-xFex)O3 (LSMFO) (x = 0.03, 0.06, 0.09, 0.12) precursor solution are prepared by sol-gel method. LSMFO thin films are fabricated by the spin-coating method on Pt/Ti/SiO2/Si substrate, and the sintering temperature and time are 800℃ and 1 hr, respectively. The average thickness of the 6-times coated LSMFO films is about 181 to 190 nm and average grain size is about 18 to 20 nm. As the amount of Fe added in the LSMFO thin film increased, the resistivity decreased, and the TCR and B25/65-value increased. Electrical resistivity, TCR and B25/65-value of the (La0.7Sr0.3)(Mn0.88Fe0.12)O3 thin film are 0.0136 mΩ-cm, 0.358%/℃, and 328 K at room temperature, respectively. The resistivity properties of LSMFO thin films matched well with Mott’s VRH model.

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