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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.6
- 수록면
- 979 - 982 (4page)
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This paper presents a low area Magnetic Tunnel Junction(MTJ) based Non-Vloatile Ternary Contents Addressable Memory (NV-TCAM) cell using Latch Sharing. Conventional SRAM-based TCAMs have issues with leakage current, so MTJ-based NV-Memory is gaining attention. Unlike SRAM based TCAM. A MTJ based NV-TCAM cell is composed of Latch and MTJs. The area of an MTJ-based NV-TCAM is mostly occupied by transistors rather than MTJs. To reduce MTJ based NV-TCAM cell area, Latch sharing is proposed in a cell and reduces cell area by 54.8%.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
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