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논문 기본 정보
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- 발행연도
- 2024.6
- 수록면
- 610 - 614 (5page)
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In this study, we investigated the AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) by altering the material of the 1<SUP>st</SUP> passivation layer. With variations in the 1<SUP>st</SUP> passivation material, the breakdown voltage increased. This was attributed to the high-k dielectric material evenly dispersing the electric field. However, a decrease in cut-off frequency (f<SUB>T</SUB>) was observed as an issue. To overcome the degradation of f<SUB>T</SUB> in the high-k 1<SUP>st</SUP> passivation layer, this study proposes an approach by employing an asymmetric passivation structure. The passivation layer near the gate-to-source region was eliminated, reducing
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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