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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정기범 (한국과학기술원) 이정철 (한국과학기술원)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 논문집 B권 대한기계학회논문집 B권 제48권 제8호(통권 제467호)
발행연도
2024.8
수록면
517 - 522 (6page)
DOI
10.3795/KSME-B.2024.48.8.517

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태양전지 및 반도체 산업의 지속적인 성장으로 정밀한 silicon 가공 기술의 중요성이 높아지고 있다. 특히, silicon과 같은 반도체 기판의 특정 위치에서 선택적으로 가열하고 온도를 정확하게 측정하는 능력은 microelectromechanical systems(MEMS) 제조 분야에서 매우 중요하다. 본 논문에서는 파장이 다른 두 개의 laser를 사용하여 silicon specimen 표면의 국소 가열을 위한 온도 측정 방법을 제시한다. 우선 ceramic heater를 구동해서 silicon specimen을 다양한 온도로 가열하는 동시에 633 nm laser의 반사량 데이터를 수집하여 표면 온도-반사량 보정을 수행한다. 이후 532 nm laser를 이용해 silicon specimen을 국소 가열하며 해당 위치의 633 nm laser의 반사량을 측정한다. 앞서 획득한 표면 온도-반사량 보정 데이터를 이용하면 0 ~ 1.8 W 범위 내에서 임의 출력의 532 nm laser가 silicon specimen을 가열할 때 silicon의 국소 표면을 약 700°C까지 가열함과 동시에 국소 표면의 온도를 측정할 수 있다.

목차

초록
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
참고문헌(References)

참고문헌 (25)

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