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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.5
- 수록면
- 896 - 901 (6page)
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The electroluminescence effect of SiC MOSFET is correlated with parameters such as junction temperature and device current, providing a new approach for nonintrusive online device status sensing. However, existing discrete photodiode solutions have encountered bottlenecks with increasing monitoring parameters and decreasing sampling delays. This work proposes a SiC device status monitoring scheme based on the integrated miniature hyperspectral spectrometer. Convolutional smoothing and partial least squares regression are applied to the obtained hyperspectral data sets. The real-time online monitoring of junction temperature and device current is achieved under low signal-to-noise ratios where the device only emits light in the dead time. The synchronous detection errors for temperature and current are only 3.11°C and 0.81A, respectively.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. ELECTROLUMINESCENCE EFFECT OF SIC MOSFET
III. DEVICE STATE MONITORING APPROACH BASED ON ELECTROLUMINESCENCE HYPERSPECTRAL
IV. EXPERIMENTAL VERIFICATION
V. CONCLUSIONS
REFERENCES
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