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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.6
- 수록면
- 31 - 36 (6page)
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Passivating contacts are a promising technology for achieving high efficiency Si solar cells by reducing direct metal/Si contact. Among them, a polysilicon (poly-Si) based passivating contact solar cells achieve high passivation quality through a tunnel oxide (SiO<SUB>x</SUB>) and poly-Si. In poly-Si/SiO<SUB>x</SUB> based solar cells, the passivation quality depends on the amount of dopant in-diffused into the bulk-Si. Therefore, our study fabricated cells by inserting silicon oxide (SiO₂) as a doping barrier before doping and analyzed the barrier effect of SiO₂. In the experiments, p<SUP>+</SUP> poly-Si was formed using spin on dopant (SOD) method, and samples ware fabricated by controlling formation conditions such as existence of doping barrier and poly-Si thickness. Completed samples were measured using quasi steady state photoconductance (QSSPC). Based on these results, it was confirmed that possibility of achieving high V<SUB>oc</SUB> by inserting a doping barrier even with thin poly-Si. In conclusion, an improvement in implied V<SUB>oc</SUB> of up to approximately 20 mV was achieved compared to results with thicker poly-Si results.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
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