지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
본 논문에서는 0.25 ㎛ 게이트 길이를 갖는 GaN HEMT 기술을 사용하여 개발한 X-대역 저잡음 증폭기 MMIC의 특성을 기술한다. 개발된 GaN 기반 X-대역 저잡음 증폭기 MMIC는 9 ㎓ ~ 10 ㎓의 동작 주파수 대역에서 22.75 ㏈ ~ 25.14 ㏈의 소신호 이득과 1.84 ㏈ ~ 1.94 ㏈의 잡음지수 특성을 나타내었다. 입력 반사 손실 특성과 출력 반사 손실 특성은 각각 –11.36 ㏈ ~ -24.49 ㏈, -11.11 ㏈ ~ -17.68 ㏈를 얻었으며 40 ㏈m (10 W)의 입력 전력에 성능 열화 없이 정상적으로 동작하였다. MMIC의 크기는 3.67 ㎜ × 1.15 ㎜이다. 개발된 GaN 기반 저잡음 증폭기 MMIC는 X-대역의 다양한 응용에 적용 가능하다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 저잡음 증폭기 MMIC 설계
Ⅲ. 저잡음 증폭기 MMIC 측정 결과
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (0)
참고문헌 신청이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-151-24-02-089583811