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저자정보
신유진 (Hongik University) 차호영 (Hongik University) 김현섭 (Kunsan National University)
저널정보
한국조명·전기설비학회 조명·전기설비학회논문지 조명·전기설비학회논문지 제38권 제2호
발행연도
2024.4
수록면
133 - 138 (6page)
DOI
10.5207/JIEIE.2024.38.2.133

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This study presents the modeling and implementation of GaN logic circuits using the MIT Virtual Source GaNFET (MVSG) model for E-mode p-GaN/AlGaN/GaN HFETs. Parameters for E-mode HFET and 2DEG characteristics were determined using the MVSG model, optimized to establish stable logic circuits. Subsequently, GaN logic circuits were fabricated through monolithic integration, demonstrating their stability and potential for driver IC design. The fabricated inverter circuit demonstrated an outstanding noise margin and operated successfully at 500kHz.
#Field-effect transistor #Gallium nitride #Logic circuit #Modeling #Monolithic integration

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References

참고문헌 (14)

참고문헌 신청
K. J. Chen, et al., “GaN-on-Si power technology: Devices and applications,” in IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 3, pp. 779-795, 2017. google schola B. J. Baliga, “Gallium nitride devices for power electronic applications,” Semicond. Sci. Technol., vol. 28, no. 7, p. 074011, 2013. google schola U. K. Mishra, P. Parikh, and Y.-F. Wu, “AlGaN/GaN HEMTs—An overview of device operation and applications,” in Proc. of the IEEE, vol. 90, no. 6, pp. 1022-1031, 2006. google schola F. Frolov and J. Lettl, “Design of high efficiency and high frequency GaN DC/DC converter,” in Proc. of the 2020 21st International Scientific Conference on Electric Power Engineering (EPE), 2020. google schola B. Wang, M. Riva, J. D. Bakos, and A. Monti, “Integrated circuit implementation for a GaN HFET driver circuit,” in IEEE Trans. Ind. Appl., vol. 46, no. 5, pp. 2056-2067, 2010. google schola

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