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저자정보
박성현 (서울과학기술대학교) 권민호 (한국전기연구원) 제갈준혁 (한국전기연구원) 김혁규 (서울과학기술대학교) 김범석 (서울과학기술대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2023년 학술대회
발행연도
2023.11
수록면
1,565 - 1,568 (4page)

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GaN device play a critical role in Power Conversion Systems (PCS) by modulating electrical signals to regulate current flow. Recently, the miniaturization of GaN MOSFETs within PCS has led to excessive heat generation per unit volume, which causes a rise in temperature. The increased temperature damages the GaN device and decline its electrical performance. In this study, we evaluate the thermal dissipation performance of GaN device heatsink through numerical analysis. We conducted 3D steady-state conjugated heat transfer simulations by using the ANSYS Fluent. We analyzed the impact on local temperature and pressure drop by conducting a parametric study on the fan"s flow rate, fin spacing. In our research, we verified the trade-off relationship between heatsink cooling performance and pressure drop. This study is expected to provide guidance for the optimal design of heatsinks, making a significant contribution to the field of heat transfer.

목차

Abstract
1. 서론
2. PCS 구조 및 전산해석 모델링
3. 연구결과
4. 결론
참고문헌

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