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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김태연 (충북대학교) 이현석 (충북대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제73권 제11호
발행연도
2023.11
수록면
893 - 899 (7page)

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액상 전구체 기반 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD)은 전이금속칼코겐화합물인 WS2의 합성을 위한 대표적인 방법이다. 전구체 용액 구성 성분 중 유기 계면활성제인 OptiPrep(C<SUB>35</SUB>H<SUB>44</SUB>I<SUB>6</SUB>N<SUB>6</SUB>O<SUB>15</SUB>)은 기판 위에 전구체 용액을 균일하게 코팅하기 위해 필수적이나 열 분해 과정에서 발생하는 잔류 탄소는 WS2의 결정 성장을 방해한다. 이에 대한 해결법으로 O₂ pre-annealing 연구가 보고된 바 있으나, 잔류 O₂로 인해 물질 합성 중에 WS₂가 산화될 가능성이 있다. 본 연구는 O₂ 플라즈마 전처리 방식을 도입하여 WS2의 성장을 제어하는 방법을 제안한다. WS₂의 CVD 성장 전 전구체 용액을 코팅한 기판에 O₂ 플라즈마 전처리를 도입한 후 photoluminescence (PL) 및 Raman 분광계를 이용하여 탄소 분해 효과 및 WS₂의 광발광 특성을 확인하였댜. 그 결과 O₂ 플라즈마 전처리 후 성장된 WS2에 잔류 탄소가 검출되지 않았고, 플라즈마 세기가 증가할수록 WS₂ 조각의 크기 증가 및 WS₂ 관련 PL/Raman 분광 신호 증가를 확인하였다. 이러한 결과는 O₂ 플라즈마 전처리가 OptiPrep 용액으로부터 열분해되어 생성된 잔류 탄소 생성을 억재하기 때문인 것으로 결론지어진다.
#Tungsten disulfide #Chemical vapor deposition #O₂ plasma #Photoluminescence #이황화 텅스텐 #화학기상증착법 #O₂ 플라즈마 #Raman 분광법 #Raman spectroscopy

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 및 결과
Ⅲ. 토의 및 결론
REFERENCES

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