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학술저널
저자정보
Shuai Han (College of Physics and Optoelectronics Taiyuan University of Technology) Yongming Fu (School of Physics and Electronic Engineering Shanxi University) Donghui Li (College of Information and Computer Taiyuan University of Technology) Dan Han (College of Information and Computer Taiyuan University of Technology) Qinjun Sun (College of Physics and Optoelectronics Taiyuan University of Technology)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.19 No.3
발행연도
2023.5
수록면
309 - 315 (7page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s13391-022-00400-5

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Safe and effi cient detection of hazardous n-butanol gas is very great signifi cance to the health of workers and researchers inchemical environments. In this work, we successfully developed a GaN gas sensor by a simple solvothermal method and alow-temperature nitridation process. Material characterization results show that one-dimensional nanorods structures wereobtained and the products presented a superior growth orientation along with (101) plane. The gas sensing test results showthat the sensor exhibits excellent responsivity, repeatability, and selectivity to n-butanol at room temperature. The responseand recovery time of the sensor to 200 ppm n-butanol gas was 45 s/34 s. Gas adsorption model and electron depletion layertheory were established to understand the n-butanol sensing mechanism. This work provides the possibility for its realapplication in n-butanol detection with safe and effi cient at room temperature.
#GaN nanorods · n-butanol sensor · Low operation temperature

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