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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제24권 제2호
- 발행연도
- 2023.4
- 수록면
- 348 - 352 (5page)
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Single-phased indium doped titanium dioxide (Ti1-xInxO2, x=0~5%) ceramics were synthesized by using solid-state reactionmethod in this study. The doping effect on the dielectric and impedance properties was investigated in a broad frequency rangefrom 102 Hz to 106 Hz. The observed dielectric behavior can be ascribed to the Universal Dielectric Response. In higherfrequency field, the dielectric permittivity varies slightly with the doping concentration x. However, the measured dielectricconstant increases significantly with the increase of doping concentration within lower frequency range. The charged grainboundarycores originated from the doping trivalent ion can be used to explain the results.
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