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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
함지선 (서울대학교) 최성휘 (서울대학교)
저널정보
전력전자학회 전력전자학회 학술대회 논문집 전력전자학회 2023년도 전력전자학술대회 논문집
발행연도
2023.7
수록면
303 - 306 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2024

켈빈 소스를 포함하는 SiC MOSFET의 가전용 전력변환시스템 적용을 위한 부트스트랩 회로 설계
함지선 ,  최성휘 전력전자학회논문지 2024.04 학술저널

2023

실리콘 카바이드 모스펫의 가전용 전력변환시스템 적용을 위한 부트스트랩 회로 설계
함지선 ,  최성휘 전력전자학회 학술대회 논문집 2023.07 학술대회자료

초록· 키워드

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최근 실리콘 카바이드 모스펫 (silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor, SiC MOSFET), 갠 헴트 (galium nitride high electron mobility transistor, GaN HEMT) 등 와이드 밴드갭 (wide-band gap, WBG) 소자를 활용한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 소자 제조공정 기술이 발전하여 원가가 하락하고 있다. 이에 따라 가전용 전력변환시스템에 WBG 소자를 활용하는 것에 대해 재고하는 추세이다. 기존 가전용 시스템에 사용하던 전력반도체소자들은 대부분 원가 절감을 위해 부트스트랩 (bootstrap) 회로를 사용하며 게이트 드라이버에 전력을 공급하고, 전류의 센싱을 위해서는 션트 (shunt) 저항을 사용한다. 이를 켈빈 소스 (kelvin source)가 존재하는 실리콘 카바이드 모스펫 구동 회로에 그대로 적용할 수 없다. 본 논문에서는 션트 저항 및 켈빈 소스가 존재하는 실리콘 카바이드 모스펫 구동을 위한 부트스트랩 회로 설계 방법 및 구동 알고리즘에 대해 제안한다. 제안한 회로 설계를 계통 연계형 컨버터에 적용하여 실제 실험을 수행하였으며, 해당 결과를 통해 제안한 회로 설계를 검증하였다.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 부트스트랩 회로 설계
3. 실험 결과
4. 결론
참고문헌

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