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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.5
- 수록면
- 81 - 86 (6page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2023.60.5.81
이용수
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본 연구는 이온 감응 전계효과 트랜지스터(ISFET) 방식의 pH 센서 신뢰성을 높이기 위해 불소 표면 개질 방법을 이용하였다. 인듐 주석 산화물(ITO) 박막을 RF 스퍼터링 방법으로 증착하였으며 포토리소그래피 공정을 통해 채널 길이 80 ㎛, 폭 2000 ㎛의 ITO-ISFET를 제작하였다. ITO-ISFET의 pH 센서 감도는 60.2 ㎷/pH 이었으며 드리프트 특성은 4.1 ㎷/h, 히스테리시스 특성은 21.1 ㎷ 이었다. ITO-ISFET의 드리프트 및 히스테리시스 특성을 개선하기 위하여 게이트 채널 표면을 기능화 처리하였다. 기능화는 C₃F₈ 가스 분위기에서 고주파 플라즈마 처리 방법을 이용하였으며 불소 처리된 ITO 박막은 X-선 광전자 분광법(XPS)을 이용하여 평가하였다. 불소 원자는 플라즈마 처리에 의해 ITO 전극의 주석 또는 인듐 원자와 안정적인 이온 결합을 하였다. 플라즈마 처리에 의해 부분적으로 불소 개질된 ITO-ISFET의 pH 감도는 58.7 ㎷/pH이었다. 드리프트 특성은 2.6 ㎷/h, 히스테리시스 특성은 4.0 ㎷로 각각 감소되어 플라즈마 처리 전과 비교하여 ITO-ISFET의 신뢰성이 개선되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
P. Bergveld, “Development of an ion-sensitive solid-state device for neurophysiological measurements,” IEEE Trans. Biomed. Eng., BME-17, no. 1, pp. 70-71, 1970.
M. Esashi, and T. Matsuo, “Integrated micro-multi ion sensor using field effect of semiconductor,” Trans. Biomed. Eng., BME-25, no. 2, pp. 184–192, 1978.
K.S. Song “Detection of SNPs using electrical biased method on diamond FETs,” IEIE, Vol. 52, no. 3, pp. 190-195, 2015.
N.C.S. Vieira, E.G.R. Fernandes, A.A.A. De Queiroz, F.E.G. Guimarães, V. Zucolotto, “Indium tin oxide synthesized by a low cost route as SEGFET pH Sensor,” Mater. Res., Vol. 16, no. 5, pp. 1156–1160, 2013.
J.S. Kim, J.W. Bae, H.J. Kim, N.E. Lee, G.Y. Yeom, and K.H. Oh, “Effects of oxygen radical on the properties of indium tin oxide thin films deposited at room temperature by oxygen ion beam assisted evaporation,” Thin Solid Films, Vol. 377–378, no. 1, pp.
M. Esashi, and T. Matsuo, “Integrated micro-multi ion sensor using field effect of semiconductor,” Trans. Biomed. Eng., BME-25, no. 2, pp. 184–192, 1978.
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