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조현수 (포항공과대학교) 정우주 (Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) 최준용 (포항공과대학교) 서명해 (포항공과대학교) 윤솔 (Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) 이승호 (Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) 임태욱 (Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) 백창기 (포항공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2016.6
수록면
166 - 169 (4page)

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We compare sensing performances of the inversion mode (IM) and the depletion mode (DM) ion sensitive field effect transistors (ISFETs) in terms of pH sensitivity and signal-to-noise ratio (SNR). The low frequency noise characteristic is measured to calculate SNR. The IM ISFETs show higher sensitivity and SNR, which are highly desirable properties in practical use, than the DM ISFETs.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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