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자료유형
학술저널
저자정보
Sohn Woonbae (Seoul National University) Kwon Ki Chang (Seoul National University) 서준민 (서울대학교) Lee Tae Hyung (서울대학교) 노광철 (한국세라믹기술원) 장호원 (서울대학교)
저널정보
나노기술연구협의회 Nano Convergence Nano Convergence Vol.8 No.11
발행연도
2021.4
수록면
1 - 10 (10page)
DOI
10.1186/s40580-021-00262-x

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Two-dimensional MoS 2 film can grow on oxide substrates including Al 2 O 3 and SiO 2 . However, it cannot grow usually on non-oxide substrates such as a bare Si wafer using chemical vapor deposition. To address this issue, we prepared as-synthesized and transferred MoS 2 (AS-MoS 2 and TR-MoS 2 ) films on SiO 2 /Si substrates and studied the effect of the SiO 2 layer on the atomic and electronic structure of the MoS 2 films using spherical aberration-corrected scanning transition electron microscopy (STEM) and electron energy loss spectroscopy (EELS). The interlayer distance between MoS 2 layers film showed a change at the AS-MoS 2 /SiO 2 interface, which is attributed to the formation of S?O chemical bonding at the interface, whereas the TR-MoS 2 /SiO 2 interface showed only van der Waals interactions. Through STEM and EELS studies, we confirmed that there exists a bonding state in addition to the van der Waals force, which is the dominant interaction between MoS 2 and SiO 2 . The formation of S?O bonding at the AS-MoS 2 /SiO 2 interface layer suggests that the sulfur atoms at the termination layer in the MoS 2 films are bonded to the oxygen atoms of the SiO 2 layer during chemical vapor deposition. Our results indicate that the S?O bonding feature promotes the growth of MoS 2 thin films on oxide growth templates.
#MoS2 Large-scale growth Chemical bonding Electron energy loss spectroscopy

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X. Liu / 2017 / J. Alloys Compd 698:141 google schola K. S. Novoselov / 2005 / Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A 102:10451 google schola B. Radisavljevic / 2011 / Nat. Nanotechnol 6:147 google schola K. C. Kwon / 2016 / Energy Environ. Sci 9:2240 google schola M. R. Laskar / 2013 / Appl. Phys. Lett 102:252108 google schola

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