Parameter Extraction Using the Output Characteristics of Thin-Film Transistors in Weak-Conduction and Triode-Region

Carlos Avila-Avendano; Adelmo Ortiz-Conde; Jesus A. Caraveo-Frescas; Manuel A. Quevedo-Lopez

doi:https://doi.org/10.1007/s42341-020-00268-y

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저자정보: Carlos Avila-Avendano (University of Texas at Dallas) Adelmo Ortiz-Conde (Universidad Simón Bolívar) Jesus A. Caraveo-Frescas (University of Texas at Dallas) Manuel A. Quevedo-Lopez (University of Texas at Dallas)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제4호

발행연도: 2021.8

수록면: 550 - 556 (7page)

DOI: https://doi.org/10.1007/s42341-020-00268-y

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A novel method for the parameter extraction of thin-fi lm transistors in weak-conduction and triode-region is presented. The parameter extraction is performed using two different and consistent functions based on the integration of experimental output characteristic. The method was tested using measured data of polycrystalline silicon (poly-Si) thin-film transistors (TFTs) and the results were compared with previously reported conventional methods.

#MOSFET #Thin-film transistors (TFTs) #Parameter extraction #Weak-inversion output characteristic #Trioderegion #Contact ideality factor

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Arthur Campos de Oliveira / 2018 / A 0.12–0.4 V, Versatile 3-Transistor CMOS Voltage Reference for Ultra-Low Power Systems / IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 65(11):3790~3799

J.V.T. Ferreira / 2019 / Ultra‐low‐voltage CMOS ring oscillators / Electronics Letters 55(9):523~525

R.J. Van Overstraeten / 1975 / Theory of the MOS transistor in weak inversion-new method to determine the number of surface states / IEEE Transactions on Electron Devices 22(5):282~288

G. Ghibaudo / 1997 / Critical MOSFETs operation for low voltage/low power IC's: Ideal characteristics, parameter extraction, electrical noise and RTS fluctuations / Microelectronic Engineering 39(1-4):31~57

Adelmo Ortiz-Conde / 2010 / Integration-based approach to evaluate the sub-threshold slope of MOSFETs / Microelectronics Reliability 50(2):312~315

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