Performance Analysis of AC and DC Characteristics of AlGaN/GaN HEMT at Various Temperatures

Aboo Bakar Khan; Mohini Sharma; M. J. Siddiqui; S. G. Anjum

doi:https://doi.org/10.1007/s42341-018-0018-8

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저자정보: Aboo Bakar Khan (Aligarh Muslim University) Mohini Sharma (Banasthali University) M. J. Siddiqui (Aligarh Muslim University) S. G. Anjum (Aligarh Muslim University)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제2호

발행연도: 2018.4

수록면: 90 - 95 (6page)

DOI: https://doi.org/10.1007/s42341-018-0018-8

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This paper verifi es the simulated transfer characteristics and I D ?V D characteristics with the experimental data of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor of gate length 0.7 μm. Various parameters are analyzed based on the eff ect of temperature. 2D device simulation is performed using the TCAD Atlas numerical simulation tool. Simulation of various importantDC parameters such as the transfer characteristics, I D ?V D characteristics, transconductance and threshold voltage is carriedout at diff erent temperatures. We have also performed radio frequency analysis to analyze fi gure of merits such as the currentgain cut-off frequency at various temperatures. The simulation analysis is performed in the temperature range of 300?500 K. From the simulation results, we found that the saturation current and I?V characteristics in the linear region decreased becauseof mobility degradation. However, both the threshold voltage and two-dimensional electron gas sheet density increased withtemperature. Hence, the selection of operating temperature is critical as it infl uences the device performance.

#HEMT #Transconductance #Threshold voltage #Temperature model #Cut-off frequency

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M. Abdul Alim / 2016 / IEEE Trans. Electron Devices 63:1005~1012

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