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학술저널
저자정보
이지민 (경북대학교) 최병수 (경북대학교) 배명한 (경북대학교) 김상환 (경북대학교) 오창우 (경북대학교) 신장규 (경북대학교)
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제26권 제4호
발행연도
2017.7
수록면
223 - 227 (5page)
DOI
http://dx.doi.org/10.5369/JSST.2017.26.4.223

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Conventional CMOS image sensors (CISs) have a trade-off relationship between dynamic range and sensitivity. In addition, their sen- sitivity is determined by the photodiode capacitance. In this paper, CISs that consist of dual-sensitivity photodiodes in a unit pixel areproposed for achieving wide dynamic ranges. In the proposed CIS, signal charges are generated in the dual photodiodes during inte-gration, and these generated signal charges are accumulated in the floating-diffusion node. The signal charges generated in the high-sen-sitivity photodiodes are transferred to the input of the comparator through an additional source follower, and the signal voltages converted by the source follower are compared with a reference voltage in the comparator. The output voltage of the comparator deter- mines which photodiode is selected. Therefore, the proposed CIS composed of dual-sensitivity photodiodes extends the dynamic rangeaccording to the intensity of light. A 94 × 150 pixel array image sensor was designed using a conventional 0.18 μm CMOS processand its performance was simulated.

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