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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.4
- 수록면
- 1,284 - 1,288 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.1016/j.net.2020.09.014
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In this work, we propose and design a GaN-based diode with a p-doped GaN (p-GaN) multi-wellstructure for high efficiency betavoltaic (BV) cells. The short-circuit current density (JSC) and opencircuitvoltage (VOC) of the devices were investigated with variations of parameters such as the dopingconcentration, height, width of the p-GaN well region, well-to-well gap, and number of well regions. TheJSC of the device was significantly improved by a wider depletion area, which was obtained by applyingthe multi-well structure. The optimized device achieved a higher output power density by 8.6% than thatof the conventional diode due to the enhancement of JSC. The proposed device structure showed a highpotential for a high efficiency BV cell candidate.
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