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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.9
- 수록면
- 377 - 385 (9page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.6.377
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For the investigation of dopant profiles in implanted Si1-xGex, the implanted B and As profiles are measuredusing SIMS (secondary ion mass spectrometry). The fundamental ion-solid interactions of implantation in Si1-xGex arediscussed and explained using SRIM, UT-marlowe, and T-dyn programs. The annealed simulation profiles are alsoanalyzed and compared with experimental data. In comparison with the SIMS data, the boron simulation results show8% deviations of Rp and 1.8% deviations of ΔRp owing to relatively small lattice strain and relaxation on the samplesurface. In comparison with the SIMS data, the simulation results show 4.7% deviations of Rp and 8.1% deviations ofΔRp in the arsenic implanted Si0.2Ge0.8 layer and 8.5% deviations of Rp and 38% deviations of ΔRp in the Si0.5Ge0.5layer. An analytical method for obtaining the dopant profile is proposed and also compared with experimental andsimulation data herein. For the high-speed CMOSFET (complementary metal oxide semiconductor field effect transistor)and HBT (heterojunction bipolar transistor), the study of dopant profiles in the Si1-xGex layer becomes more importantfor accurate device scaling and fabrication technologies.
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