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저자정보
임진호 (한국세라믹기술원) 황성환 (한국세라믹기술원) 정현성 (한국세라믹기술원)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제3호
발행연도
2017.3
수록면
185 - 191 (7page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.3.185

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1차원 나노구조를 가진 카드뮴화합물은 우수한 전기적, 광학적 특성으로 인하여 주목받고 있는 소재이다. 본 연구에서는 고밀도의 수직배양된 CdTe-Si 나노구조체를 몇 가지 간단한 화학반응을 통하여 합성하였다. 우선, 실리콘 기판을 Ag촉매를 사용하여 나노와이어로 에칭한 이후, 갈바닉 치환반응을 시켜 일차원의 Te 나노구조체를 형성하였다. 에칭된 Si 나노와이어의 길이는 에칭 시간에 따라 1 μm에서 25 μm로 조절하였다. HTeO2+의 전해질 용액으로 갈바닉 치환반응을 하여 일차원의 나뭇가지 모양의 Te-Si 나노구조체를 형성하였다. 순차적으로 토포화학반응과 양이온교환반응을 통해 Ag2Te-Si 나노구조체와 CdTe-Si나노구조체를 각각 제조하였다. 금속을 이용한 에칭, 갈바닉 치환반응, 토포화학반응 그리고 양이온 교환반응을 포함한 습식 화학반응 과정을 통하여 대면적에서 고밀도의 수직배양된 CdTe-Si 나노구조체를 제조하는 간단한 방법을 제시했다.

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