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자료유형
학술저널
저자정보
서다희 (한국항공대학교) 류희중 (한국항공대학교) 서종현 (한국항공대학교) 황완식 (한국항공대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제35권 제3호
발행연도
2022.5
수록면
308 - 310 (3page)

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Ultrawide bandgap gallium oxide (Ga2O3) semiconductors are known to have excellent photocatalytic properties due to their high redox potential. In this study, CO2 reduction is demonstrated using nanostructured Ga2O3 photocatalyst under ultraviolet (254 nm) light source conditions. After the CO2 reduction, C2H4 remained as a by-product in this work. Nanostructured Ga2O3 photocatalyst also showed an excellent endurance characteristic. Photogenerated electron-hole pairs boosted the CO2 reduction to C2H4 via nanostructured Ga2O3 photocatalyst, which is attributed to the ultrawide and almost direct bandgap characteristics of the gallium oxide semiconductor. The findings in this work could expedite the realization of CO2 reduction and a simultaneous C2H4 production using a low cost and high performance photocatalyst.
#Gallium oxide #Photocatalyst #Carbon dioxide #Ethylene

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