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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조민철 (고등기술연구원) 이예승 (고등기술연구원) 정희숙 (고등기술연구원) 노정훈 (고등기술연구원)
저널정보
한국전산유체공학회 한국전산유체공학회지 한국전산유체공학회지 제27권 제4호
발행연도
2022.12
수록면
107 - 113 (7page)
DOI
10.6112/kscfe.2022.27.4.107

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The fourth Industrial Revolution will increase the demand for 3D NAND due to the development of technologies such as artificial intelligence and big data in the future. In the manufacturing process of 3D NAND, which stacks semiconductors in a stacked structure, the demand for gas for deposition and etching increases compared to 2D NAND. It is important to remove process gas with high efficiency because it causes global warming effects. To this end, the industry is introducing scrubber technology. In this study, the thermal fluid characteristics of a scrubber capable of decomposing and removing nitrous oxide (N₂O) used to deposit a silicon dioxide (SiO₂) thin film in a semiconductor process were analyzed according to the location of the heater. As a result of the analysis, the pressure and velocity distribution in the scrubber was high in the area of the fluid flowing into the heater, and in terms of heat transfer, the air temperature was found to be affected by the capacity of the heater and the flow rate of the flowing fluid.

목차

1. 서론
2. 수치해석 방법
3. 해석 결과 및 분석
4. 결론
References

참고문헌 (12)

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