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정공을 운반자로 사용하는 p-형 산화물은 깊은 O 2p 준위로 인해 상대적으로 정공 이동도가 낮아 n-형 산화물보다 잠재적인 응용 가능성이 낮다. 최근 밀도범함수이론 연구에 따르면 Bi가 첨가된 In₂O₃는 가전자대 근처에서 새로운 in-gap 상태를 형성하여 받개의 형성 에너지를 낮출 수가 있다고 보고되었다. 또한, 이전 실험에서 Bi가 첨가된 In₂O₃ 세라믹에서 광학적 특성을 통해 in-gap 상태가 형성된 것을 확인하였다. 본 연구에서는 결정성과 in-gap 상태의 상관관계를 이해하기 위하여, 다양한 증착 온도에서 Bi가 첨가된 In₂O₃ 박막을 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 제작하였다. 그 결과, 증착 온도가 증가함에 따라 결정립 크기가 증가하였다. 이와 더불어 광학적 특성 측정을 통해 벌크 In₂O₃의 밴드갭(~2.7eV)과 Bi 첨가에 의해 새롭게 형성된 in-gap 준위(~1.9eV) 에너지가 형성되는 것을 확인하였고, 박막의 증착 온도가 증가함에 따라 두 밴드갭이 줄어드는 것을 확인하였다. 이러한 변화는 결정립 크기 증가와 관련이 있는 것으로 생각된다.
목차
I. 서론
II. 실험방법
III. 결과 및 논의
IV. 요약
REFERENCES
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