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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.10
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
- DOI
- 10.5207/JIEIE.2022.36.10.001
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In this study, an optical sensor using a perovskite thin film was fabricated and its possibility was investigated. The optoelectronic device was fabricated using a semiconductor process technology that was researched and developed based on perovskite. Specifically, patterning of the semiconductor material was carried out by applying isopropyl alcohol solution to a cotton swab using a solution without a mask and rubbing the area to be removed.
The optoelectronic sensor device was irradiated with light emitting diode to measure its optical characteristics. After light irradiation, a photocurrent that is about 1000 times higher than that of the dark current was generated. In conclusion, if an optical sensor is made using perovskite, an electronic device with very high sensitivity is realized. However, it was found that the shape of the edge was not realized in a straight line due to the removal of the semiconductor material using a cotton swab, and a hole appeared near the edge due to the characteristics of the highly volatile solution. These problems must be solved in order to manufacture a mass-produced sensor.
The optoelectronic sensor device was irradiated with light emitting diode to measure its optical characteristics. After light irradiation, a photocurrent that is about 1000 times higher than that of the dark current was generated. In conclusion, if an optical sensor is made using perovskite, an electronic device with very high sensitivity is realized. However, it was found that the shape of the edge was not realized in a straight line due to the removal of the semiconductor material using a cotton swab, and a hole appeared near the edge due to the characteristics of the highly volatile solution. These problems must be solved in order to manufacture a mass-produced sensor.
목차
Abstract
1. 서론
2. 이론고찰
3. 결론
References
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
Z. Krstic and V. D. Krstic, “Silicon Nitride: the Engineering Material of the Future,” Journal of Materials Science, Vol. 47, pp. 535-552, 2012.
D. Arl, et al., “SiO2 Thin Film Growth through a Pure Atomic Layer Deposition Technique at Room Temperature,” RSC Advances, Vol. 10, No. 31, pp. 18073-18081, 2020.
W. Zhu , G. Z heng, S . Cao, and H . He, “Thermal Conductivity of Amorphous SiO2 Thin Film: A Molecular Dynamics Study,” Scientific Reports, Vol. 8, p. 10537, 2018.
A. N. Thiessen, et al., “Silicon Nanoparticles: Are They Crystalline from the Core to the Surface?,” Chemistry of Materials, Vol. 31, No. 3, pp. 678-688, 2019.
G. Signorello, et al., “Inducing a Direct-to-Pseudodirect Bandgap Transition in Wurtzite GaAs Nanowires with Uniaxial Stress,” Nature Communications, Vol. 5, p. 3655, 2014.
D. Arl, et al., “SiO2 Thin Film Growth through a Pure Atomic Layer Deposition Technique at Room Temperature,” RSC Advances, Vol. 10, No. 31, pp. 18073-18081, 2020.
W. Zhu , G. Z heng, S . Cao, and H . He, “Thermal Conductivity of Amorphous SiO2 Thin Film: A Molecular Dynamics Study,” Scientific Reports, Vol. 8, p. 10537, 2018.
A. N. Thiessen, et al., “Silicon Nanoparticles: Are They Crystalline from the Core to the Surface?,” Chemistry of Materials, Vol. 31, No. 3, pp. 678-688, 2019.
G. Signorello, et al., “Inducing a Direct-to-Pseudodirect Bandgap Transition in Wurtzite GaAs Nanowires with Uniaxial Stress,” Nature Communications, Vol. 5, p. 3655, 2014.
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