TFET 기반 gate-all-around(GAA) SONOS 메모리의 프로그램 성능 향상

김유진; 황진영

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 김유진 (한국항공대학교) 황진영 (한국항공대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2022년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집

발행연도: 2022.6

수록면: 651 - 655 (5page)

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The programmability of TFET-based GAA SONOS memory can be improved by increasing the electric field in the direction of the ONO layer leading to increased trapped electron concentrations in the nitride layer. To achieve high programmability, we propose TFET-based GAA SONOS memory consisting of source inserted to intrinsic layer to a depth of 4 ㎚ and intrinsic layer with oxide-semiconductor interface inclined in 2°.
In this device structure, electric field in the direction of the ONO layer increases 1.4 times than that of the general GAA structure, resulting in increasing tunneling probability by 4.53 times than that of the general GAA structure. As the result of the enhanced electric field, trapped electron concentration increases from 3.04x1017 ㎝-3 to 1.43x1018 ㎝-3, implying that the programmability can be enhanced in the proposed device.

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