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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Jungkil Kim (Jeju National University)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제71권 제10호
발행연도
2021.10
수록면
838 - 841 (4page)

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반도체 나노구조는 독특한 물리적 특성을 바탕으로 차세대 응용소자를 제작할 수 있는 기반 물질로 각광을 받고 있다. 특히 기존의 산업에서 가장 많이 사용되는 실리콘의 나노선 구조는 다양한 제작법, 전기적 특성, 광학적 특성 등, 다양한 분야로 연구되고 있다. 본 발표에서는 실리콘 나노선의 표면에 다공성 구조를 제작하고 그에 따른 Raman 산란 특성을 분석한다. 실리콘 나노선은 metal-assisted etching으로 제작을 한다. 이는 귀금속을 촉매로 하여 불산과 과산화수소수 혼합액으로 실리콘 기판을 식각하여 나노선 구조를 제작하는 방법이다. 제작과정에서 과산화수소수의 농도를 달리하면 실리콘 나노선의 표면에 다공성 구조가 형성이 된다. 다공성 구조는 수 나노미터 이하의 크기를 갖고 있으며 밀도는 과산화수소수의 농도에 영향을 받는다. 다공성 구조의 밀도가 제어된 실리콘 나노선의 Raman 산란 특성을 측정한다. 표면이 매끈한 실리콘 나노선의 Raman spectrum peak는 520 cm<SUP>-1</SUP> 로 벌크 실리콘 기판과 동일한 특성을 보인다. 반면 표면에 다공성 구조가 많은 실리콘 나노선일수록, Raman spectrum의 peak가 적색천이하는 것을 보였다.

목차

I. Introduction
II. Experiments
III. Results
IV. Conclusion
REFERENCES

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