메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김정남 (서울시립대학교) 김윤 (서울시립대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제59권 제1호(통권 제530호)
발행연도
2022.1
수록면
97 - 103 (7page)
DOI
10.5573/ieie.2022.59.1.97

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

이 논문의 연구 히스토리 (2)

초록· 키워드

오류제보하기
본 연구에서 charge-trap flash 메모리 기반 채널 적층형 3 차원 AND형 시냅스 어레이 및 제안한 어레이의 층별 동작 수행을 위한 층별 선택회로를 제안하였다. Folwer-Nordheim (FN) 터널링을 기반으로 하는 시냅스 어레이 및 층별 선택 회로의 동작 방법을 제안하였다. 시냅스 어레이의 3차원 구조 및 층별 선택 회로를 고려한 technology computer-aided design (TCAD) 소자 시뮬레이션을 수행하여 시냅스 가중치 조절 중에 발생할 수 있는 간섭 현상을 확인하였다. 이를 통하여 본 연구에서 제안한 3차원 AND형 시냅스 어레이 동작 방법의 실현 가능성을 확인하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (13)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2022-569-000195271