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Orthorhombic tin sulfide (SnS) has recently been emerged as a very promising absorber material for thin-film solar cells (TFSCs). It has an ideal optical band gap (~1.3 eV) and it comprises of relatively earth abundant constituents and non-toxicity. But till date, the highest efficiency obtained from the SnS-based solar cells is 4.36%, which is fairly low compared to its theoretical limit of ~32%. SnS is a non-cubic material unlike CIGS or CdTe, crystallizing in an orthorhombic structure (JCPDS No. 39-0354, a=4.3291 Å, b=11.1923 Å, c=3.9838 Å). It easily leads to the formation of layered features. Therefore, controlling the morphology of the SnS absorber with dense and pinhole-free grains is crucial. In this study, the influence of vapor transport deposition (VTD) conditions of tin sulfide (SnS), i.e., growth te ... 전체 초록 보기
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