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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김범수 (Korea National University of Transportation) 이종원 (Korea National University of Transportation) 강명곤 (Korea National University of Transportation)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제25권 제4호
발행연도
2021.12
수록면
774 - 777 (4page)

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본 논문은 Charge Trap Flash using Ferroelectric(CTF-F) 구조를 가진 3D NAND Flash Memory gate controllability에 대해 분석했다. Ferroelectric 물질인 HfO₂는 polarization 이외에도 high-k 라는 특징을 가진다. 이러한 특징으로 인해 CTF-F 구조에서 gate controllability가 증가하고 Bit Line(BL)에서 on/off 전류특성이 향상된다. Simulation 결과 CTF-F 구조에서 String Select Line(SSL)과 Ground Select Line(GSL)의 채널길이는 100 ㎚로 기존 CTF 구조에 비해 33% 감소했지만 거의 동일한 off current 특성을 확인했다. 또한 program operation에서 channel에 inversion layer가 더 강하게 형성되어 BL을 통한 전류가 약 2배 증가한 것을 확인했다.
#3D NAND Flash Memory #Ferroelectric #Polarization #HfO2 #high-k

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References

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