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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 1,003 - 1,011 (9page)
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We report the greatly improved dielectric properties of CaCu3Ti4O12 (CCTO) films with a 60 nm-thick CaTiO3 (CTO) interlayer on Pt/TiO2/ SiO2/Si substrates. Both CCTO films and CTO interlayers were prepared by pulsed laser deposition (PLD). With increasing the thickness of CCTO from 200 nm to 1.3 μm, the dielectric constants (εr) at 10 kHz in both CCTO single-layered and CCTO/CTO double-layered films increased from ~260 to ~6000 and from ~630 to ~3700, respectively. Compared with CCTO single-layered films, CCTO/CTO double-layered films irrespective of CCTO film thickness exhibited a remarkable decrease in their dielectric losses (tanδ) (<0.1 at the frequency region of 1 - 100 kHz) and highly reduced leakage current density at room temperature. The reduced leakage currents in CCTO/ CTO double-layered films are attributable to relatively higher trap ionization energies in the Poole-Frenkel conduction model.
목차
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참고문헌 (24)
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Huiling Gong / 2014 / Interfacial Diffusion Behavior in Ni-BaTiO3 MLCCs with Ultra-Thin Active Layers / Electronic Materials Letters 10(2):417~421
Kumar Shubham / 2014 / Fabrication and Characterization of Metal/Insulator/Semiconductor Structures Based on TiO2 and TiO2/SiO2 Thin Films Prepared by Low-Temperature Arc Vapor Deposition / Electronic Materials Letters 10(3):579~584
M. A. Subramanian / 2000 / J. Solid State Chem 151:323
C. C. Homes / 2001 / Science 293:673
D. C. Sinclair / 2002 / Appl. Phys. Lett 80:2153
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M. A. Subramanian / 2000 / J. Solid State Chem 151:323
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