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자료유형
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저자정보
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.10 No.3
발행연도
2014.1
수록면
579 - 584 (6page)

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The present work involves the fabrication and characterization of two different metal/insulator/semiconductor (MIS) structures: Pd/TiO2/Si and Pd/TiO2/SiO2/Si. The TiO2 thin films on the n-type Si <100> substrate were deposited using low-temperature arc vapor deposition process. The electrical characterizations of MIS structures were investigated using capacitance-voltage and current density-voltage measurements. The effects of annealing on the properties of the films were also studied. Furthermore, the structural, surface morphological, and electrical properties of the devices were compared with those obtained using other deposition techniques.
#TiO2 thin films #TiO2/SiO2 thin films #low-temperature arc vapor deposition #metal/insulator/semiconductor structure

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S. A. Campbell / 1997 / IEEE Transactions Electron Devices 44:104 google schola S. K. Samanta / 2002 / Appl. Phys. Lett 80:2547 google schola G. D. Wilk / 2001 / J. Appl. Phys. Appl. Phys. Rev 89:5243 google schola T. Fuyuki / 1986 / Jpn. J. Appl. Phys 25:1288 google schola H. S. Kim / 1997 / IEEE Ele. Device Lett 18:465 google schola

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