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ITO and ITO:Zr films with various thicknesses were prepared on glass substrates by RF magnetron sputtering. We observed a decrease in sheet resistance with increasing film thickness that in good agreement with Fuchs-Sondheimer theory. The ITO films doped with ZrO2 (~0.2 wt%) showed improvement in some of the electricaland optical properties of ITO films. The surface roughness of ITO:Zr films increased with increasingfilm thickness. ITO:Zr films with thickness of 120 nm showed highest work function of 5.13 eV, as estimatedfrom XPS data. The ITO:Zr films were employed as front electrodes in HIT solar cells; the best device performancewas found to be: Voc = 710 mV, Jsc = 34.44 mA/cm2, FF = 74.8%, η = 18.30% at a thickness of 120nm. A maximum quantum efficiency (QE) of 89% was recorded for HIT solar cells at a wavelength of700 nm for 120 nm thick ITO:Zr films.

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