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이경아 (영남대학교) 김아현 (영남대학교) 조성욱 (영남대학교) 이강용 (영남대학교) 전찬욱 (영남대학교)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research Vol.9 No.4
발행연도
2021.12
수록면
137 - 144 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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In this study, the microstructure of the CVD-fabricated Cu(In,Ga)Se₂ (CIGSe) absorber layer by simulating the stacking sequence used in a co-evaporation method, and changes solar cell performance were investigated. The absorber layer prepared by stacking CuSe and (In,Ga)Se between InSe is separated into Ga-free CuInSe₂ and Ga-rich CIGSe, and transformed to CIGSe by selenization heat treatment with slight improvement in the the solar cell efficiency. However, in CVD, since the supply of liquid Cu-Se is not as active as in the co-evaporation method, the nanoocrystalline layer containing a large amount of Ga remained independently in the absorption layer, which acted as a cause of the loss of J<SUB>SC</SUB> and FF. Therefore, by using a precursor structure in which CuGa is sputter-deposited on a single layer of InSe deposited by CVD, performance parameters of V<SUB>OC</SUB>, J<SUB>SC</SUB>, and FF could be greatly improved.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 결론
References

참고문헌 (8)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2022-530-000103814