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Yang Wang (Zhejiang University) Yu Cheng (Zhejiang University) Yunlu Wang (Zhejiang University) Shuai Zhang (Tsinghua University) Chen Xu (Zhejiang University) Xuewei Zhang (Zhejiang University) Miao Wang (Zhejiang University) Yang Xia (Chinese Academy of Science) Qunyang Li (Tsinghua University) Pei Zhao (Zhejiang University) Hongtao Wang (Zhejiang University)
저널정보
성균관대학교 성균나노과학기술원 NANO NANO Vol.13 No.8
발행연도
2018.1
수록면
13 - 17 (5page)

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Many aspects in the chemical vapor deposition (CVD) growth of graphene remain unclear such as its behavior near the catalyst grain boundaries. Here we investigate the CVD growth mechanism of graphene across the Cu grain boundaries using unidirectional aligned graphene domains, which simplifies the analysis of both graphene and Cu to a large extent. We found that for a graphene domain grown across the Cu grain boundary, the domain orientation is determined by the Cu grain where the domain nucleation center is located, and the Cu grain boundary will not change the growth behavior for this graphene domain. This growth mechanism is consistent with the Custep-attached nucleation and edge-attachment-limited growth mechanism for H-terminated graphene domains and will provide more guidance for the synthesis of high-quality graphene with less domain boundaries.

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L. Tapaszto / 2012 / Appl. Phys. Lett 100:053114 Crossref Z. Song / 2013 / Nano Lett 13:1829 Crossref V. L. Nguyen / 2015 / Small 11:3512 Crossref V. L. Nguyen / 2015 / Adv. Mater 27:1376 Crossref H. Wang / 2016 / Adv. Mater 28:8968 Crossref

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