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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 330 - 338 (9page)
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The modification in various properties of thin films using high energeticion beam is an exciting area of basic and applied research insemiconductors. In the present investigations, cadmium selenide (CdSe)thin films were deposited on ITO substrate using electrodepositiontechnique. To study the swift heavy ion (SHI) induced effects, thedeposited thin films were irradiated with 120 MeV heavy Ag9+ ions usingpelletron accelerator facility at IUAC, New Delhi, India. Structural phasetransformation in CdSe thin film from metastable cubic phase to stablehexagonal phase was observed after irradiation leading to decrease in theband gap from 2.47 eV to 2.12 eV. The phase transformation wasanalyzed through X-ray diffraction patterns. During SHI irradiation,Generation of high temperature and pressure by thermal spike along thetrajectory of incident ions in the thin films might be responsible formodification in the properties of thin films.
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Y. P. Gnatenko / 2012 / J. Lumin 132:2885
S. Thanikaikarasan / 2011 / J. Mater. Sci 46:4034
P. K. Nair / 1998 / Sol. Energ. Mat. Sol. C 52:313
이동훈 / 2016 / Investing the Effectiveness of Retention Performance in a Non-Volatile Floating Gate Memory Device with a Core-Shell Structure of CdSe Nanoparticles / Electronic Materials Letters 12(2):276~280
A. V. Calster / 1989 / J. Cryst. Growth 86:924
S. Thanikaikarasan / 2011 / J. Mater. Sci 46:4034
P. K. Nair / 1998 / Sol. Energ. Mat. Sol. C 52:313
이동훈 / 2016 / Investing the Effectiveness of Retention Performance in a Non-Volatile Floating Gate Memory Device with a Core-Shell Structure of CdSe Nanoparticles / Electronic Materials Letters 12(2):276~280
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