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Cheng Chen (Huazhong University of Science and Technology) Renli Liang (Huazhong University of Science and Technology) Jingwen Chen (Huazhong University of Science and Technology) Jun Zhang (Huazhong University of Science and Technology) Shuai Wang (Huazhong University of Science and Technology) Chong Zhao (Huazhong University of Science and Technology) Wei Zhang (Huazhong University of Science and Technology) Jiangnan Dai (Huazhong University of Science and Technology) Changqing Chen (Huazhong University of Science and Technology)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.13 No.4
발행연도
2017.1
수록면
313 - 317 (5page)

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We demonstrate the fabrication and characterization of ZnO/GaNbasedheterojunction light-emitting diodes (LEDs) by using air-stableand solution-processable ZnO quantum dots (QDs) with a thin MgOinterlayer acting as an electron blocking layer (EBL). The ZnO QDs/MgO/p-GaN heterojunction can only display electroluminescence(EL) characteristic in reverse bias regime. Under sufficient reversebias, a fairly pure ultraviolet EL emission located at 370 nm derivingfrom near band edge of ZnO with a full width at half maximum(FWHM) of 8.3 nm had been obtained, while the deep-level emissionhad been almost totally suppressed. The EL origination andcorresponding carrier transport mechanisms were investigatedqualitatively in terms of photoluminescence (PL) results and energyband diagram.

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L. Qian / 2011 / Nat. Photonics 5:543 google schola Y. Shirasaki / 2013 / Nat. Photonics 7:13 google schola D. I. Son / 2012 / Nat. Nanotechnol 7:465 google schola J. Kwak / 2012 / Nano Lett 12:2362 google schola X. Dai / 2014 / Nature 515:96 google schola

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