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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 1,066 - 1,071 (6page)
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The present work shows the effect of ethanolamine surface treatment on inverted InP quantum dot light-emitting diodes (QD-LEDs) with inorganic metal oxide layers. In the inverted structure of ITO/ZnO/InP QDs/CBP/MoO3/Al, a sol-gel derived ZnO film was used as an electron transport layer (ETL) and MoO3 was used as a hole injection layer (HIL). First, ethanolamine was treated as a surface modifier on top of the ZnO electron transport layer. The optical performance of the QDLED device was improved by the ethanolamine surface treatment. Second, low temperature annealing (<200°C) was performed on the ZnO sol-gel electron transport layer, followed by an investigation of the effect of the ZnO annealing temperature. The efficiency of the inverted QD-LEDs was significantly enhanced (more than 3-fold) by optimization of the ZnO annealing temperature.
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S. Coe / 2002 / Nature 420:800
B. S. Mashford / 2013 / Nat. Photonics 7:407
Rizwan Khan / 2014 / Influence of Excitation Wavelength on Photoluminescence Properties of CdSe/CdZnS Colloidal Quantum Dots on Micro-Patterned Silver Films / Electronic Materials Letters 10(2):451~455
L. Qian / 2011 / Nat. Photonics 5:543
J. Kwak / 2012 / Nano Lett 12:2362
B. S. Mashford / 2013 / Nat. Photonics 7:407
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