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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 287 - 291 (5page)
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SWCNTHighperformance of solution-processed, single-wall-carbon-nanotube (SWCNT)thin-film transistors (TFTs) is investigated through the use in the different gatedielectricsof silicon dioxide (SiO2), silicon nitride (SiNx), the bilayers of SiO2and SiNx, and hexagonal boron-nitride (h-BN) thin films. The differentinterfacial characteristics affect the electrical characteristics of the SWCNTTFTsincluding key device metrics. Significantly, the hysteresis window that isnormally observed in drop-casted SWCNT-TFTs was majorly suppressed by theemployment of a thin lower dielectric-constant material on a higher dielectricconstantmaterial. Sub-2V operating SWCNT-TFTs with solution-processed h-BN gate dielectrics with good above- and sub-threshold characteristics are alsoinvestigated on the basis of interfacial characteristics underlying the devicephysics. Such performance can be realized by the suppressed interfacial impurityscattering through the chemically clean interface combined with optimizedsolution-process below 100 °C.
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