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저자정보
김경민 (경상대학교 공학원 나노신소재융합공학과) 이성갑 (경상대학교) 이동진 (경상대학교) 권민수 (경상대학교 공학원 나노신소재융합공학과)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.13 No.3
발행연도
2017.1
수록면
235 - 239 (5page)

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In this study, Zn1.10CuxMn1.90-xO4 (0 ≤ x ≤ 0.15) systems were preparedthrough the conventional solid state reaction method. All specimens weresintered in air at 1200 °C for 12 h and cooled at a rate of 2 °C/min to800 °C, subsequently quenching to room temperature. Structuralinvestigations were carried out using X-ray diffraction patterns andenergy dispersive spectrometry. For x ≥ 0.10, formation of a tetragonalphase with a Zn-rich Zn-Cu-Mn-O segregated second phase was observed. In the microstructure, the grain size increased from 5.10 μm to 9.68 μmwith an increase in Cu content. The resistivity at room temperature, Bvalue,responsivity and detectivity of the Zn1.10Cu0.05Mn1.85O4 specimenwere found to be 300.2 kΩ·cm, 4665, 0.025 V/W, and 2.12 ×104 cmHz1/2/W, respectively.

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